Samsung arranca fabricación de próxima generación de memorias para móviles
Samsung anunció la puesta en marcha de la fabricación de la que será la próxima generación de chips de memoria para móviles.
Tras el relevo del estándar eMMC hace ya cinco años, los fabricantes de memorias detrás de los estándares de la JEDEC continúan actualizando sus soluciones de almacenamiento a las nuevas y cada vez más rápidas memorias. Es el caso de los nuevos chips que Samsung ya tiene en producción.
El reciente estándar de memoria UFS 3.1 es más bien una actualización menor sobre UFS 3.0 que vimos en una selección de adelantados de 2019 y en prácticamente todos los terminales de gama alta de 2020.
Samsung UFS 3.1, de momento en 512 GB
Las memorias Universal Flash Storage en su versión 3.1 presentaban modestas novedades en rendimiento, que aterrizaban principalmente en forma de algunos ajustes más que notables en cuanto a su velocidad de escritura.
En este formato de 512 GB de capacidad que Samsung ya ha llevado a la fabricación, los coreanos reportan una mejora de la velocidad de escritura que triplica lo visto en la generación inmediatamente anterior. Esto es, pasamos de unos relativamente modestos 410 MB/s de velocidad a unos 1.200 MB/s que permiten nivelar la escritura con la lectura.
Asimismo, Samsung anuncia una evolución en la lectura de información que sí afecta a la lectura aleatoria, donde la velocidad sostenida es menos relevante. En estos escenarios, en los que se accede a una cantidad muy pequeña de información pero muchas veces por segundo, Samsung presenta hasta un 60% de incremento en el número de lecturas por segundo, subiendo desde las 63.000 operaciones hasta unas 100.000. Este dato permanece relativamente estático en el caso de la lectura.
Samsung mira hacia los vídeos 8K como una de las puertas de escapatoria que pueden aprovechar de forma más que interesante estas nuevas capacidades. Según datos de la marca, se trata de una mejora en la capacidad de transmisión hasta diez veces superior sobre las tarjetas microSD de clase UHS-1, con 90 MB/s de velocidad de escritura máxima.
Según estos mismos datos, los móviles con esta nueva memoria serán capaces de almacenar un archivo de 100 GB en tan solo minuto y medio, frente a los cuatro minutos de un dispositivo con el ahora último estándar disponible UFS 3.0.
De esta forma, es esperable que las memorias UFS 3.1 en una variedad de capacidades –que podrían ver su rendimiento condicionado al tamaño de la memoria, al ver limitado el número de lanes de comunicación–, se unan al también reciente estándar de memoria RAM, LPDDR5, que entró en circulación hace tan solo unos meses y que ya vemos en muchos de los terminales más completos del mercado, como los Galaxy S20, Xiaomi Mi 10 u Oppo Find X2.
Con información de Hipertextual.